提高美国产能
瞄准AI光互连，布局NPO与CPO
AI数据中心的竞争，正从计算芯片延伸至高速互连。
格芯与Marvell宣布扩大多年期合作，增加硅锗（SiGe）技术产能，支持可插拔光模块、近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。
随着算力集群持续扩张，如何更快、更高效地搬运数据，正在成为芯片产业新的竞争焦点。
深科技9月17日消息，格芯（GlobalFoundries）与Marvell宣布扩大合作，提高格芯美国佛蒙特州伯灵顿工厂的高性能硅锗技术产能，以满足下一代光互连不断增长的需求。
根据双方公告，此次协议建立在现有生产合作基础之上，预计将显著增加产能，但尚未披露具体投资金额、新增产能规模及投产时间表。
具体合作内容
双方签署多年期协议，提高格芯美国伯灵顿工厂的硅锗（SiGe）产能，支持高速、低功耗芯片制造。
AI数据中心扩张推高光互连需求，带动硅锗技术需求增长。
Marvell表示，扩大合作将保障技术与产能供应，支持未来业务增长。
新增产能将支持可插拔光模块、近封装光学（NPO）及共封装光学（CPO）产品。
据路透社报道，消息公布当日，美股周四早盘格芯上涨约4%，Marvell上涨6.3%。
一、AI扩张，互连先行
现代AI数据中心正在成为大规模分布式计算系统，其性能不仅取决于加速器本身，也取决于加速器之间的数据传输效率。
当更多计算资源连接在一起，数据能否及时传输，将直接影响整个系统的运行效率。
格芯与Marvell此次扩大合作，正是围绕这一需求，为下一代光网络产品增加制造能力。
Marvell让AI基础设施实现全距离互连。
Marvell晶圆代工技术副总裁Robb Johnson表示：“AI正在从根本上改变数据中心的构建方式，而互连对于释放这些系统的性能正变得越来越关键。随着行业向包括NPO和CPO在内的更高带宽光互连架构演进，Marvell正积极投入，以引领这一转型。我们与格芯扩大合作，将有助于确保我们获得所需的硅锗技术和制造产能，以支持我们预期中的显著增长。”
对Marvell而言，此次合作的核心，是为未来产品增长提前落实所需的硅锗技术与制造产能。
二、硅锗产能成为重点
此次扩产的主角，是硅锗技术。
根据格芯介绍，其硅锗技术组合能够提供先进光网络所需的高频性能、信号完整性和能效，现有技术已支持单通道200G光互连，并规划向更高速率演进。
这里的“单通道200G”，指单个通道的连接速率，并不等于整只光模块的总带宽。
格芯表示，公司制造先进硅锗产品已有十余年，并持续推进硅锗、硅光与先进封装的协同集成，以支持包括NPO、CPO在内的新型光互连架构。
深科技认为，这项合作体现出AI基础设施对制造能力的需求正在进一步细化：除了计算芯片，高速互连所需的特色工艺及其稳定供应，同样关系到系统的规模化部署。
三、NPO与CPO同时布局
双方公告明确提及三类应用：下一代可插拔光收发模块、NPO和CPO。
这意味着，此次新增产能将服务于多种光互连产品形态，而非仅面向某一种封装路线。
Marvell称，随着行业向包括NPO和CPO在内的更高带宽光架构演进，公司将持续加大投入。格芯则从制造端提供配套，推动硅锗技术、硅光与先进封装协同发展。
值得关注的是，本次公告披露的是支持相关产品的硅锗产能扩充，并未公布具体NPO或CPO产品的出货规模与量产节点。因此，此次合作更直接的意义，是为后续光互连产品增长完善供应保障。
四、十余年合作继续加码
格芯与Marvell的合作已持续十余年，此次协议进一步扩大了双方既有的生产关系。
格芯光子与射频业务高级副总裁Shankaran Janardhanan表示，硅锗技术正在将公司长期积累的高性能射频与模拟技术能力，转化为光互连领域的性能优势。格芯将继续投资美国及全球其他地区的技术路线图和制造能力，支持客户未来增长。
格芯硅光与硅锗（SiGe）需求推动通信基础设施与数据中心业务（CI&D）连续第七个季度实现两位数同比增长。
对于此次合作，深科技的判断是：AI基础设施的竞争正向更完整的系统能力延伸，芯片能算多快、数据能传多快，以及相关器件能否稳定交付，正在变得同样重要。
随着可插拔光模块继续演进，NPO与CPO布局同步推进，围绕硅锗、硅光和先进封装的产业协作，也将成为观察下一代AI数据中心建设的重要窗口。
消息来源：格芯与Marvell官方新闻稿、路透社。
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