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佰维存储正在进一步加码先进封装。
9月21日，佰维存储公告称，公司及控股子公司广东芯成汉奇拟与东莞松山湖高新区管委会签署合作协议，投资建设晶圆级先进封测制造项目三期，项目总投资约45亿元，其中固定资产投资约40亿元。
与前两期项目不同，此次三期项目并不涉及新增工业用地，而是在原项目工业用地范围内实施，本质上属于现有项目基础上的增资扩产。项目资金将主要来自公司自有及自筹资金，不涉及募集资金。
目前，该事项已经通过佰维存储董事会审议，无需提交股东会审议。公司表示，将加快推进合作协议签署及项目落地。
从整体布局来看，这意味着佰维存储在晶圆级先进封装领域的产能建设仍在持续提速。
此前，公司晶圆级先进封测制造项目一期、二期规划投资合计30.9亿元，目前已进入设备安装、工艺验证及客户送样等阶段。其中，一期已经完成厂房建设及设备安装调试；二期设备正在陆续进场，并处于客户送样、工艺验证和小批量试产阶段，目前尚未正式贡献量产收入。
按照佰维存储今年一季度接受机构调研时披露的信息，公司晶圆级先进封测制造项目预计到2026年底月产能达到5000片，到2027年底进一步提升至1万片，并计划从2026年底开始贡献收入。此前项目对应的2.5D月产能约为3000片。
在技术层面，广东芯成汉奇作为项目实施主体，目前已经形成覆盖2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等技术路线的先进封装能力。
围绕先进封装业务，佰维存储目前重点布局两大产品方向：一类是面向先进存储芯片的FOMS系列，另一类是面向先进存算合封的CMC系列。公司披露，目前先进封装良率已经达到95%以上，预计该业务综合毛利率约为30%至40%。
更值得关注的是，先进封装并非佰维存储近期扩张的唯一方向。
在主控芯片方面，公司自研国产eMMC主控芯片已经在多个领域实现规模化量产交付；UFS主控芯片则已完成回片验证，预计于2026年下半年导入终端应用。
与此同时，佰维存储还在向NAND Flash介质设计进一步延伸。公司已经与国内头部晶圆代工厂达成战略合作，围绕24nm、19nm等工艺节点开发中小容量SLC、MLC NAND产品。目前，SLC NAND产品已经陆续进入回片验证阶段，计划于2026年下半年导入终端客户，MLC NAND Flash研发也在推进中。
在企业级存储市场，佰维存储则持续扩大面向数据中心、云计算和AI服务器等高吞吐、高可靠应用的产品布局。目前，公司已经实现PCIe SSD、SATA SSD等产品的批量供货，并进一步加强与联想等OEM厂商的合作，同时推进与互联网云厂商的业务落地。
从先进封装，到主控芯片，再到NAND Flash介质和企业级存储，佰维存储正在逐步从传统存储模组厂商向覆盖“介质—主控—封装—存储产品”的一体化存储企业延伸。此次45亿元三期项目的推进，也意味着其先进封装产能布局仍在继续向纵深发展。
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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4538期内容，欢迎关注。
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